氮化镓“领衔”的手机快充时代将全面到来？目前，多家手机厂商已确定入局，计划在今年推出基于氮化镓的快充设备。
氮化镓，化学式为GaN，是半导体中的Gān（干）货，创新领域的“超级风口”。作为第三代半导体材料的代表，其运行速度比传统硅技术快20倍。用于快充设备时，性能表现更是一骑绝尘，在尺寸相同的情况下，输出功率足足高出3倍。
在西门子的参与下，一座投资额逾60亿元的第三代半导体工厂，也是全球最大的氮化镓工厂预计于今年四月在苏州正式投产。中国半导体创新史将由此步入新纪元。
超级工厂的远谋与近忧
英诺赛科科技有限公司（英诺赛科）位于苏州市吴江汾湖的这座第三代半导体基地总占地面积为24.5万平方米，建成后年产值预计可突破100亿元人民币。
成立于2015年的英诺赛科被视为中国硅基氮化镓领域的“独角兽”。这家年轻的高科技企业致力于将苏州基地打造成为世界一流的第三代半导体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓
晶圆65000片，产品将为5G移动通信、数据中心、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业提供核心电子元器件。
半导体制造业对电力的稳定性有着极高要求，配电系统持续、可靠地运行不仅是安全生产的基本保障，还关系到产品质量和生产进度。量产后，苏州基地产线需要一天24小时运转，以保持最大的经济可行性并实现目标产能。由于芯片制造工艺流程高度复杂，任何计划外的停电甚至瞬间的电压变动都可能造成百万级以上的损失。
苏州基地超大型的生产体量与规模注定了其“用电大户”的身份。要知道，做出一个芯片需要经过3000多步工序，而在各个步骤中都维持超净、恒温、高温高压、真空、强电磁场等条件，必将消耗巨大电能。
对于壮志满怀的英诺赛科而言，毫无疑问需要一位值得信赖的合作伙伴来解决用电方面的“心事”，使其在专注“芯事”之际再无后顾之忧。
